檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="二極體"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
2
3
隨著資訊科技產業的蓬勃發展，如何縮小電子產品內部的半導體元件並提升運算速度儼然成為最重要的議題之一，除了不斷突破製程微縮化極限，也在尋求能夠取代矽的替代材料。過渡金屬硫化物 (Transition …
4
本論文使用化學氣相傳導法合成層狀過渡金屬硫屬化物ReSe2，並且利用氧電漿摻雜的方式將其製作成同質接面pn二極體，將其應用於半波整流及光感測元件。利用拉曼光譜儀分析其晶格振動模態之變化，並分別以X光…